1.     学生工艺实践制备的整流管(ZD)

  

 

 

2.     学生工艺实践制备的晶闸管(KP)

研制的FSRD芯片

 

 

 

研制的非对称GCT和RC-GCT芯片

 

 

实验样品测试

1.     学生显微镜测试的二极管FLR终端

 

2.     用激光共聚焦显微镜测试的二极管阳极区结深

3.     用激光共聚焦显微镜测试的刻蚀后的硅片表面

4.     高阻区熔单晶寿命测试（19.95—20ms）

 

5.     用特性测试仪测试的二极管击穿特性曲线

6.     用特性测试仪测试晶体管eb结击穿特性曲线