王彩琳 博士，教授，博士生导师
主要经历：
1984年9月进入西安理工大学（原陕西机械学院）半导体物理与器件专业学习，1988年7月毕业后在该校电力电子技术专业攻读硕士学位；1991年4月硕士毕业后在西安电力电子技术研究所工作，主要从事新型电力半导体器件的研发及行业发展工作（高级工程师）；1999年7月调入西安理工大学自动化与信息工程学院，主要从事电子、微电专业的教学及相关科研工作；2002年9月在本校微电子学与固体电子学学科在职读博，2007年4月获工学博士学位。现任电子科学与技术学科的教授、博士生导师。
研究方向：
1. 半导体器件工艺与可靠性
2. 新型电力半导体器件与功率集成
主讲课程：
1. 本科生的《电力半导体器件原理及设计》、《半导体工艺原理》、《电子科学与技术导论》及《微电子学导论》等课程；
2. 硕士生的《功率集成》、《器件可靠性与失效分析》及《电子科学与技术新进展》课程；
3. 博士生的《新器件 新工艺》课程。
实践课程：
1. 指导电子、微电专业的《微电子综合实践》（2000-2017年）；
2. 指导电子、微电专业的《本科毕业设计/论文》（2000-至今）；
3. 指导本科生的生产实习（2000~2001年）
科研项目：
先后主要完成人参加过国家级“八五”科技攻关、973等重大项目，主持国家自然科学基金（面上项目）、教育部高等学校博士学科点专项科研基金（博导类）、陕西省重点研发计划重大重点项目、工业攻关项目及自然科学基金项目、教育厅科技计划等50余项。
科研成果：
1. 获奖
（1）1997年10月“GTR 模块工艺的计算机辅助设计”获机械部教育司科技进步壹等奖；
（2）1997年10月“GTR模块的计算机辅助设计和工艺的辅助控制”获西安市科学技术进步叁等奖；
（3）2013年3月“以培养学生综合实践能力为核心的微电子技术方向教学体系的构建”，获陕西省教学成果二等奖。
2. 论文
发表研究论文100余篇，其中SCI、EI收录80篇。
3. 专著
（1）《电力电子新器件及制造技术》，机械工业出版社，2015年7月
（2）《绝缘栅双极型晶体管(IGBT)设计与工艺》，机械工业出版社，2018年10月
4. 专利
申请国家发明专利19项，目前已授权国家发明专利15项。
（1）门极换流晶闸管GCT的门-阴极结构设计方法，ZL200510096016.8，2008.10.22
（2）一种注入效率可控的门极可关断晶闸，ZL200710017568.4，2009.2.25
（3）氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方法, ZL200810018084.6, 2010.2.10
（4）一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法，ZL200910022272.0，2012.6.13
（5）一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件及制备方法，ZL201010191042.X，2012.6.13
（6）一种沟槽负斜角终端结构及其制备方法，ZL201110196090.2，2013.3.13
（7）一种沟槽正斜角终端结构及其制备方法，ZL201110196911.2, 2013.3.13
（8）适用于GCT器件的阶梯型平面终端结构及其制备方法, ZL201210376053.4, 2015.2.18
（9）一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构，ZL201310695830.6，2016.4.20
（10）一种场限环-负斜角复合终端结构，ZL201310695843.6，2016.6.22
（11）一种波状基区和透明短路阳极的双芯GCT及制备方法,ZL201410605143.5, 2017.2.8
（12）一种高压快速软恢复二极管及其制备方法 ,ZL2014102744571, 2017.02.08
（13）一种具有连通型存储层的高压IGBT及其制造方法,ZL201510374743.X, 2018.04.27
（14）一种电子注入增强型的高压IGBT及其制造方法, ZL2015103754749, 2018.04.27
（15）一种沟槽-场限环复合终端结构及其制备方法, 申请号 201610831545.6, 2016.9.19
（16）一种横向变掺杂-结终端延伸复合终端结构及其制造方法,申请号201810380268.0, 2018.4.25
（17）一种高压快速软恢复二极管的制造方法,申请号201810469464.5,2018.5.16
（18）具有双侧调整区的高压快速软恢复二极管及其制备方法,申请号201811081650.8, 2018.9.17
（19）一种压接式双芯GCT的封装结构,申请号201811081650.8,2018.10.10
（20）电子注入增强型双模式MOS控制晶闸管及其制造方法申请号2019104975427，2019.6.10
（21）一种沟槽栅MOS-GCT结构及其制备方法，申请号2019104983955，2019.6.10
人才培养
培养的硕士研究生50余名，博士研究生2名。
毕业的研究生中一部分同学已经成长为电力半导体行业的高级人才和技术骨干。
教师主页
http://js.xaut.edu.cn/web/wangcailin
联系方式
通信地址：陕西省西安市碑林区金花南路5号西安理工大学106信箱（710048）
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